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BSC900N20NS3GATMA1  与  BSZ900N20NS3 G  区别

型号 BSC900N20NS3GATMA1 BSZ900N20NS3 G
唯样编号 A-BSC900N20NS3GATMA1 A-BSZ900N20NS3 G
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 200V 15.2A TDSON-8 系列:OptiMOS™
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 62.5W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 90mΩ@7.6A,10V
Qg-栅极电荷 - 8.7nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 920pF @ 100V -
栅极电压Vgs - ±20V
正向跨导 - 最小值 - 8S
封装/外壳 8-PowerTDFN PG-TSDSON-8
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 11.6nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id - 15.2A
配置 - Single
长度 - 3.3mm
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 90 毫欧 @ 7.6A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
高度 - 1.10mm
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 200V
Pd-功率耗散(Max) - 62.5W
典型关闭延迟时间 - 10ns
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 30uA -
系列 - OptiMOS™
25°C时电流-连续漏极(Id) 15.2A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 200V -
典型接通延迟时间 - 5ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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暂无价格 0 对比

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